核心低功耗模式解析

深度休眠模式 (Deep Sleep)
极致节能：此模式下芯片功耗被压缩至惊人的 ≤ 3μA，接近理论极限值。
出厂默认：芯片初始化后默认处于深度休眠状态。
唤醒机制：需通过特定指令序列唤醒。标准流程为：先发送唤醒指令 0xFE，随后等待至少100ms 让芯片稳定恢复，再发送后续控制命令（如播放语音）。直接发送语音地址命令无效。
适用场景：超长待机设备（如智能门锁、远程传感器、应急指示牌），对瞬时响应要求不苛刻。
原地休眠模式 (Standby Sleep)
快速响应：功耗控制在 ≤ 30μA，保持部分功能模块活跃。
操作便捷：无需专用唤醒指令！可直接发送目标语音地址命令，芯片将立即唤醒并执行播放。
适用场景：需频繁、快速语音交互的设备（如便携仪器、智能玩具、查询终端），平衡功耗与响应速度。

功耗对比一览表

工作模式	典型功耗	唤醒方式	响应速度	适用场景
深度休眠	≤ 3μA	需先发送 0xFE + 延时100ms	较慢	超长待机、极低功耗需求
原地休眠	≤ 30μA	直接发送语音命令	快速	需频繁快速响应
正常工作	mA级	持续工作	即时	语音播放中

关键优势与设计要点

按需选择：开发者可根据终端产品的使用频率和响应要求，在深度休眠（极致省电）与原地休眠（快速响应）间灵活配置。
唤醒时序关键：尤其在深度休眠模式下，严格遵守“0xFE唤醒指令 + 100ms延时”的流程是确保后续命令可靠执行的前提。忽略延时可能导致通信失败。
开箱即用（深度省电）：默认的深度休眠模式为电池类产品提供了“零配置”的超低待机起点。
显著延长续航：相较于持续工作状态，休眠模式将待机功耗降低数个数量级，是电池供电设备不可或缺的功能。

结论

广州唯创电子WT2003H语音芯片通过深度休眠(≤3μA)和原地休眠(≤30μA)的双模设计，在超低功耗与快速响应间实现了卓越平衡。其清晰的唤醒机制（特别是深度休眠下的专用唤醒指令与延时要求）为开发高能效语音产品提供了强大支持。无论是追求数年待机的物联网节点，还是需要随唤随应的交互设备，WT2003H都能提供精准匹配的低功耗解决方案，是便携式、电池驱动及节能型语音应用的理想选择。

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