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我国自主研发新型电力电子芯片已达国际水平
发布日期:2011-11-2  浏览次数:1233 

  我国自主研发的大功率超快速软恢复外延型二极管(FRED)芯片和1200V/1700V大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片,于10月25日顺利通过有关专家组鉴定。专家组一致认为,自主研制的非穿通型(NPT)IGBT芯片和FRED芯片,主要性能指标均达到国际先进水平,其中1200V IGBT主要性能指标超过了国际同类产品的先进水平。标志着我国新型电力半导体器件从此走上了产业化道路,开始追赶并逐渐超越世界领先水平的新里程。

  IGBT和FRED器件是电力电子装置和系统中的CPU,被国际电力电子行业公认为电力电子技术第三次革命最具代表性的器件。新型电力电子技术是改造传统工业、促进新型高新技术产业发展的关键技术之一,可广泛应用于风力发电系统、太阳能电源、航空、航天等多个领域。

  近年来,我国电力电子器件的市场一直保持快速增长的势头。2011年预计市场销售收入总额将突破1680亿元,年均增长率将达到20.1%。在分立器件中,大功率高频新型电力半导体器件IGBT、VDMOS 和FRED是增长最快的器件,年增长速率将达到25%左右。

  IGBT和FRED产品在国外发达国家已经成熟发展了20余年,但我国一直处于科学研究和试验样品阶段,主要参数不能满足工业化的生产需要。具有自主知识产权IGBT和FRED产品的产业化生产,不仅打破了我国电力电子系统与装置对国外产品的长期依赖,减少了我国系统与装置的生产成本,增加我国整机产品在国内外市场的竞争力,同时,对高污染、低效率的传统工业进行彻底改造和更新换代,减少工业污染,提高电能和其它资源的使用效率,都起到了推动作用。

    电力电子芯片的艰辛历程,铸就今日的辉煌,它将在世界舞台展示中国半导体芯片的名片。

 
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