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英飞凌:300mm薄晶圆功率半导体芯片
发布日期:2011-10-15  浏览次数:1219 

  2010 年10月,英飞凌已在奥地利菲拉赫着手设立 300 mm晶圆及薄晶圆技术的功率半导体前导生产线。目前该团队拥有 50 名工程师和物理学家,来自研究、开发、制造技术及市场营销等各个领域。首颗 300 mm 下线芯片,是英飞凌持续成功制造节能 产品专用之功率半导体的推手。根据 IMS Research 于今年 8 月提出的研究报告,英飞凌在 2010 年仍位居全球功率半导体市场龙头,并已连续第 8 年获此殊荣。

  英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布已于奥地利菲拉赫(Villach)据点生产出首款 300mm (12寸)薄晶圆之功率半导体芯片(first silicon),成为全球首家进一步成功采用此技术的公司。采用300mm薄晶圆生产之芯片的功能特性,与以200mm晶圆制造之功率半导体相同,已成功通过在高压应用产品中使用金氧半导体场效晶体管 (MOSFET)的应用测试证明。

  在晶体管发明 55 年之后,英飞凌以革命性 CoolMOS 晶体管技术,荣获 2002 年德国工业创新大奖 (German Industry’s Innovation Award)。高压电晶体,已在众多应用领域提升能源效率,如 PC 电源供应器、服务器、太阳能电源转换器、照明与电信系统。这些节能芯片目前也是消费性电子装置的必要元件,如平面电视和游乐器。使用能源、节约能源且不失效率,已成为所有用电产业与家庭应用的首要需求。英飞凌的节能半导体解决方案,可节省高达 25% 的全球电力消耗。

 

 
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