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国内自主高压高功率IGBT芯片取得进展
发布日期:2011-9-23  浏览次数:1211 

  国内市场所需的功率半导体约有90%依赖进口,IGBT功率器件基本上完全被国外厂商垄断;因此,开发半导体功率芯片特别是高压高功率IGBT及配套器件产品工艺,研制出高压高功率IGBT及配套器件产品并实现量产  开发的6500V Trench FS IGBT(沟槽类型场终止绝缘栅双极晶体管)取得了阶段性的突破,标志着国内自主高压高功率IGBT芯片从设计研制到工艺开发的整体贯通又上了一个新的台阶。

  IGBT作为新型的电力电子核心器件,广泛应用于关系国计民生的诸多重要领域。根据不同应用领域的需求,IGBT产品往往以阻断电压等级进行划分,其中6500V系列是目前市场应用中电压等级最高,同时也是技术最难的的产品,全球只有极个别少数国外厂商拥有。华虹NEC拥有成熟先进的高压分立器件制造技术,联合战略合作伙伴中科院微电子所,致力于推动国产IGBT开发及产业的快速发展。双方密切合作,由微电子所自主设计器件元胞和终端结构,由华虹NEC开发关键单项工艺及工艺整合,采用当前国际上最先进的器件结构与工艺--Trench gate(槽型栅)结合Field Stop(场截止,简称FS)技术,首次流片结果显示阻断电压已达到了7100V以上,完全符合最初的设定目标。华虹NEC的领先Trench技术,在沟槽的形貌、光滑度和填充等方面处于世界领先地位,工艺性能稳定,可靠性高,并有超过两百万片8寸晶圆的生产经验。此次流片结果证明了超高压沟槽栅IGBT的可行性(国外6500V系列产品均采用平面栅结构),同时说明了华虹NEC制造工艺尤其Trench技术的高超技艺。这次产、学、研合作的阶段性成果对于发展我国超高压高端分立器件,并满足高端电力电子器件的需求做了一个的很好的注解。

  中科院微电子研究所科技处长王文武研究员说:华虹NEC作为生产功率分立器件的领先企业,拥有成熟先进的工艺条件和多年生产8英寸功率分立器件的丰富经验,我们的高压高功率IGBT产品基于华虹NEC的工艺平台开发是正确的选择。微电子所致力国产自主IGBT产品的研制,相关产业化公司正在筹建,后续我们将完善产品参数和工艺优化,达到相应可靠性等级,早日实现产业化。

   因此,开发半导体功率芯片特别是高压高功率IGBT及配套器件产品工艺,研制出高压高功率IGBT及配套器件产品并实现量产,无论从国家的经济利益还是战略发展上都具有非常深远的意义。

 
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